• 測定範囲：190～3,200 nm

FT/IR-6600, IRT-5200

• 測定範囲： 7,800～350 cm^-1

IRT-5200

• 分解能：2 cm^-1

• レーザー波長：325 nm、532 nm、785 nm
• 二次元・三次元マッピング機能（0.1 μm位置再現性）
• 波数域：100~4,000 cm-1
• 温度調節ステージ

• レーザー波長：1,064 nm
• マッピング機能あり

• 1H共鳴周波数：400 MHz
• 二次元、固体（CP/MAS）
• 多核（15N、 19F、23Na、27Al、31P、77Se、113Cd、129Xe、195Pt 等）測定可能

• CD/蛍光同時測定
• 測定波長範囲：163~1,100 nm
• CD分解能：0.0005 mdeg
• ペルチェ式恒温セルホルダ付

• レーザ波長: 405 nm 半導体レーザ
• 総合倍率: x 108~17,280

• 加速電圧：5、10、15、20kV
• 倍率：10~100,000倍
• 倍率：10~100,000倍

• 加速電圧：0.01~30 kV
• 倍率： 25~1,000,000倍
• 装備オプション：EDS、STEM、BED、USD、低真空システム

• 加速電圧：120 kV
• 冷却フォルダー（-120 ℃）

• イオン加速電圧：2~6 kV
• イオンビーム径：500 μm
• ミリングスピード：100 μm/h
• 最大搭載試料サイズ：11 mm(幅) x 10 mm(長さ) x 2 mm(厚さ)
• 使用ガス：アルゴンガス

• 測定可能範囲：0.2~100 nm

• 200 mmφ対応
• 測定再現性 1σ=4 Å以下

• 真空吸着テーブルサイズ（50 x 50 mm）
• ラビングローラー回転速度可変＜1,000 rpm
• テーブル移動速度調節可
• 真空吸着テーブルθ調整機構付き

• 高い選択比と高精度のエッチングが可能
• 全自動運転
• φ8インチウェハーの加工が可能

• 温度範囲　常温~1,000 ℃
• 測定範囲：±20, ±200 mg
• 最大試料量：1 g（風袋含）

• 温度範囲　常温~750 ℃
• ノイズ：１μＷ（rms、150 ℃ホールド時）

• 使用カラム（JAIGEL-1H, 2H, 4H, 5H）

• UV-vis検出器 （SPD-10Avp）
• PDA検出器 （SPD-M10Avp）
• RI検出器 （RID-10A）
• LALS-Visco検出器 （Viscotek270／Viscotek社製）

• UV-vis検出器（SPD-10Avp）
• RI検出器（RID-10A）
• 使用カラム（Shodex 5SIL4E）

• 真空式・自転／公転プロペラレス混和方式
• 公転速度：最大2,000 rpm
• 自転速度：最大1,000 rpm
• 標準容器：250 mlおよび150 ml

• 最小サンプル量：8 ml
• 処理可能最高粘度：100,000 cP
• 最大流量：35 mL/min
• 最大吐出量：200 MPa
• 有機溶媒対応（アセトン、トルエン、NMPなど）

• 分解能：60,000
• 高分子量領域：~30,000 m/z
• イオン源：ESI、APCI、マルチモードイオン源、ASAP

• 光源：キセノンランプ
• 最高加熱温度：2,700 ℃
• 結晶成長速度：0.2~50 mm/h

グローブボックス

• パージ式ガス置換型
• サイドボックスのみ真空引ガス置換構造

• 1次元粉末X線測定モジュール
• 2次元広角/小角X線測定モジュール
• 超小角（USAXS）測定モジュール
• GI-WAXD/SAXS測定モジュール
• 高温試料チャンバー（室温~1100℃）